영국, 전투기용 차세대 GaN 레이더 개발의 새로운 단계로 이동
영국 방위산업 기업 BAE Systems는 전투기용 첨단 레이더 개발의 새로운 단계로의 전환을 발표했습니다. 우리는 계획대로 전자전(EW)과 통신 기술을 결합할 차세대 레이더에 대해 이야기하고 있습니다.
언급된 회사의 연구소 대표자들은 차세대 레이더에 사용하기 위해 밀리미터파 질화 갈륨(GaN) 반도체 기술을 신중하게 연구하고 점진적으로 구현하고 있다고 보고합니다.
BAE 시스템즈는 차세대 레이더인 전자전 및 통신을 실현하기 위해 밀리미터파 질화갈륨(GaN) 반도체 기술을 발전시키고 있습니다. 이 GaN 레이더는 첨단 시설에 사용될 예정이다.
항공, 이론적으로 6세대 공군 자산에 속하는 전투기를 포함합니다.
사용된 GaN의 조합을 통해 상대적으로 넓은 주파수 스펙트럼을 제공하고 정보 전송 효율이 높습니다. 영국 연구자들이 말하는 주요 장점 중 하나는 오늘날 사용되는 트랜시버에 비해 트랜시버의 크기가 작다는 것입니다. 동시에 출력 신호의 전력은 높게 유지됩니다.
질화갈륨은 고성능 레이더 제작 비용을 줄여준다고 한다.
레이더 제품 라인 이사 Chris Rappa:
GaN 프로그램은 차세대 전투 전투기를 위한 새로운 핵심 기술로 이어질 수 있는 첨단 기술 개발의 기반을 제공합니다.
그러한 작업은 "미국의 기술 경험을 고려하여" 영국의 이익과 미국의 이익을 위해 수행된다는 점에 주목됩니다.
앞서 American Raytheon에서는 질화갈륨을 기반으로 한 새로운 레이더의 생성이 발표되었습니다. 동시에 패트리어트 방공 시스템을 대체하도록 설계된 첨단 방공 및 미사일 방어 시스템용 레이더가 제작되고 있습니다.
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